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                专利号:200810113146
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                低二次污染复合电磁屏蔽材料及其制备方法

                一种低二次污染复合电磁屏蔽材料及其制备方法,由复合金属粉末或不锈钢粉▂末与导电聚合物和树◣脂材料构成,用于电磁辐警惕xìng提高了起来射的屏蔽。本发明由金属填料与导电聚合物构成的╳导电填料、树脂基体材料⌒ 组成,其中金属填料为具有不同电磁性能和抗氧化性能的▽金属的其间复合粉末或铁素体不锈钢粉恩末。本发明利用不同电磁性能的复合金属□ 粉末铁素体不锈钢金属粉末或奥氏体不锈钢粉末填料所列中的一种▂或选择其中两种以上任意组合来调整电磁屏蔽效能中的吸收和反射损耗以及材◥料的抗氧化性能,克服了单一金属粉末的电磁屏蔽效能和吸收损◣耗难以综合考虑的局限以及对于有些金属材料抗氧化性≡能差而难以应用的限制,从而减少了反射损耗,有一个转折效地降低了二次污染。在涂层厚度为ω 0.2-0.4毫米╳的情况下,在30MHz-1500MHz的频率范还没来得及炼制围内,其屏蔽效能可达60dB以上,材料的吸收损耗部分▓达到20%以上。

                低二次污染复合电磁屏蔽材料及其制备方法

                一种低二次污染复合电磁屏蔽材料,其特征在于,由金属复合粉末或铁素体不锈他连一成钢金属粉末或奥氏体不锈钢粉末填料与导电聚合物构成的导电填料、树脂基体行踪材料组成,其中金属复合粉末填料为具有不同电磁性能和抗氧化性能的两种金属的复合粉末Ag/Cu或Ni/Fe或Ag/Fe或Ag/Co或Ni/Co,以Ag/Cu为例,表示Ag包覆Cu的复合金属粉末,其他类同。
                 


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                专利号: 200810113146
                申请日: 2008年5月28日
                公开/公告日: 2008年10月8日
                授权公告日:
                申请人/专利权人: 北面坑坑洼洼京科技大学、安徽工业大学↓
                国家/省市: 北京(11)
                邮编: 100083
                发明/设计人: 毛卫民、朱国辉、阮士鹏、冯惠平、晋传贵
                代理人:
                专利代理机构: ()
                专利代◇理机构地址: ()
                专利类型: 发明
                公开号: 101282635
                公告日:
                授权日:
                公告号: 000000000
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