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                专利号:200810105176
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                一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器

                本发明Ψ公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器,属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为◣掺入了银的二氧化硅薄膜或掺▓入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ag粒子会朝着电极的方向运动并在电』极处堆积。只要外加电压↙不撤销,堆积的银粒子那个女人将朱俊州平放在了地上将越来越多并向另一端的电」极延伸。当堆积的银粒子将两端电极连★通的时候,阻变层就由高阻态转向了低阻态。因此,本发明阻变材料①以Ag粒子运动组合的方☉式形成导电通道,使阻变材∴料的电阻转变的稳定性大幅提升。

                一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器

                一种具有稳定阻变特性的材料,其特征在于,该材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入ζ了银的氮化硅薄膜。
                 


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                专利号: 200810105176
                申请日: 2008年4月29日
                公开/公告日: 2008年10月8日
                授权公告日:
                申请人/专利权人: 北京大学
                国家/省市: 北京(11)
                邮编: 100871
                发明/设计人: 康晋锋、杨竞峰、刘力锋、孙兵、刘晓彦、王漪、韩汝琦、王阳元
                代理人: 贾晓玲
                专利代理机看来是个异能者构: 北京大学专利事务所(11200)
                专利掀开了上面代理机构地址: 北京市海淀区北京大学红一楼102号(100871)
                专利类型: 发明
                公开号: 101281953
                公告日:
                授权日:
                公告号: 000000000
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                附图数: 1
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                权利要求@项数: 1
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